8月17日，由中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟(以下簡稱“中寬聯”)、張家港市人民政府聯合主辦，張家港經開區、高新區、科技局承辦，江蘇能華微電子科技發展有限公司協辦的“中外化合物半導體產業與技術發展交流會”在江蘇張家港順利舉行，取得圓滿成功!

  國家工信部電子信息司集成電路處任愛光處長、張家港市人民政府胡俊副市長、美國工程院院士羅素.迪普伊(Russell D.Dupuis)教授(MOCVD之父)、中寬聯肖向鋒秘書長等領導、中外行業專家、企業家近百人參加此次會議。任愛光處長, 胡俊副市長分別致辭，祝賀會議的隆重召開。

  會議期間，羅素.迪普伊院士作了“照亮世界：III-V族化合物半導體器件的金屬有機化學氣相沉積”的報告;沙特阿卜杜拉國王科技大學李曉航教授作了“寬禁帶半導體紫外發光器件的機會和挑戰”的報告;美國伊利諾伊大學史軍霞教授作了“GaN技術發展回顧及展望”的報告;中科院蘇州納米所黃勇研究員作了“III-V族化合物半導體材料、器件與應用”的報告;中科院蘇州納米所劉建平研究員作了“氮化鎵可見光激光器及其應用”的報告。

  與會人員認真聽取了以上5位專家學者的報告，重點探討了氮化鎵半導體產業在國內外的發展現狀，會議對推進技術協同和產業良性發展將起到積極的促進作用。

  張家港市政府高度重視寬禁帶半導體的發展，將其作為一項重要的產業來培育，并啟動了《張家港市化合物半導體產業發展規劃》工作。市政府、經開區、高新區從2017年開始與中寬聯積極合作，除此次會議外，還聯合主辦了“2017年中國寬禁帶功率半導體及應用產業論壇大會”、“《中國寬禁帶功率半導體發展路線圖》終審會”，都取得了圓滿成功。未來，中寬聯將與張家港市繼續開展緊密合作，共同推動產業良性發展。