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關于能華

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企業簡介

江蘇能華微電子科技發展有限公司由海外歸國高科技人才創辦于2010年,核心技術團隊包括從外延生長、器件設計、工藝制程到封裝測試各環節的專家,是一家專業設計、生產和銷售以氮化鎵(GaN)為代表的化合物半導體高性能晶圓、器件的高新技術企業。

作為國內最早建成以氮化鎵功率器件為主的IDM公司,目前公司的產品線涵蓋氮化鎵外延片、氮化鎵功率場效應管、氮化鎵集成功率器件以及氮化鎵芯片代工等。并且能華半導體是全球少數同時掌握增強型GaN技術、耗盡型GaN技術和耗盡型GaN直驅方案的半導體公司。


發展歷程
2012年6月
正式啟動
2013年初
建立國內首條
GaN研發中試線

2015年5月
承擔國家專項項目
開始產業化建設

2016年6月
啟動GaN功率器件
6寸生產線
2017年9月
建設3000平米
十級、百級以及千級無塵車間
2018年1月
6寸GaN功率器件通線,啟動GaN外延8寸生產線
2020年
耗盡型GaN功率器件實現量產
2021年
增強型GaN功率器件實現量產,開發氮化鎵射頻器件
2022年
連續推出多款GaN器件和應用解決方案,并收獲多家量產客戶
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